要玩就玩最好的

要玩就玩最好的:学术报告:武汉大学物理科学与技术学院陈志权教授来校做“新型正电子微束技术及其应用”学术报告

时间:2011-04-27浏览:82设置

    应技术物理系邀请,武汉大学物理科学与技术学院陈志权教授来校进行学术访问,期间将为我校师生做“新型正电子微束技术及其应用”的学术报告。具体事宜如下:
    报告题目:新型正电子微束技术及其应用
    报 告 人:武汉大学物理科学与技术学院陈志权教授
    时    间:2011年4月29日 下午15:00-17:00
    地    点:图书馆第三会议室
 
 
    欢迎广大师生踊跃参加!
 
                                                       
                                                                          
 
                                      科技处
                                    技术物理系
                                  2011年04月27日
 
附:陈志权教授简介
   
     陈志权,男,武汉大学物理科学与技术学院教授、博士生导师。曾担任日本筑波大学物理工学系外国人研究员、日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员、日本原子力研究所研究员;2006年入选教育部新世纪优秀人才支助计划。
    长期从事正电子湮没谱学与材料微观结构方面的研究,先后发表论文70余篇,其中第一作者SCI论文30余篇,在物理学领域著名杂志Applied Physics Letters, Physical Review B, Journal of Applied Physics等发表多篇论文。目前所发表的第一作者论文累计已被他人引用300余次,单篇最多引用次数达70余次。出版学术专著《应用正电子谱学》(第二作者,完成其中的第2、3、8章内容和第4章部分内容)。协助主办第九届国际正电子与正电子束化学会议并负责编辑“Positron and Positronium Chemistry”,已由Trans Tech Publication 出版。主持国家自然科学基金,国家教育部青年教师骨干基金,国家重点基础研究计划(973预研项目)、湖北省青年杰出人才基金、湖北省自然科学基金等项目多项。

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